A Infineon Technologies desenvolveu a primeira tecnologia de wafer de nitreto de gálio (GaN) de 300 mm do mundo, estabelecendo um marco importante na indústria de semicondutores de potência. Aproveitando sua infraestrutura existente de fabricação de silício de 300 mm, a Infineon criou um processo de produção escalonável, econômico e de alto volume.
Os wafers GaN de 300 mm oferecem 2,3 vezes mais chips por wafer do que os wafers de 200 mm, melhorando a eficiência da produção e o desempenho do dispositivo. Com esta inovação, a Infineon é líder de mercado no mercado de GaN em rápido crescimento, que deverá atingir vários milhares de milhões de dólares até ao final da década.
O chefe da Infineon, Jochen Hanebeck, apresenta um dos primeiros wafers de energia GaN de 300 mm fabricados em produção escalonável em grande escala. (Imagem: Infineon)
Os semicondutores de potência baseados em GaN estão ganhando força em vários setores, incluindo industrial, automotivo, eletrônicos de consumo, energia de IA, inversores solares e sistemas de controle de motores. A tecnologia GaN oferece vantagens significativas, como maior eficiência energética, tamanho e peso reduzidos e menor custo geral para o usuário final. Os novos wafers GaN de 300 mm proporcionam maior estabilidade e escalabilidade de fornecimento, tornando-os ideais para as crescentes necessidades do mercado.
A integração de wafers GaN de 300 mm nas linhas de produção de silício existentes da Infineon em Villach, na Áustria, ressalta a experiência da empresa em semicondutores baseados em GaN e silício. Este avanço também abre caminho para a paridade de custos entre GaN e silício, particularmente no que diz respeito a valores R DS(on) comparáveis. A Infineon quer apresentar os primeiros wafers GaN de 300 mm na feira de eletrônica em novembro de 2024 em Munique.
Um engenheiro técnico na sala limpa da Infineon Technologies em Villach, Áustria, segura um wafer de nitreto de gálio de 300 mm. (Imagem: Infineon)
Este progresso sustenta a liderança da Infineon em sistemas de energia e o seu compromisso com a inovação, particularmente nas áreas de descarbonização e digitalização. O foco estratégico da empresa em GaN junto com silício e carboneto de silício ressalta sua posição na vanguarda da tecnologia de semicondutores.
Arquivado em . Leia mais sobre Infineon e semicondutores.
A Infineon Technologies desenvolveu a primeira tecnologia de wafer de nitreto de gálio (GaN) de 300 mm do mundo, estabelecendo um marco importante na indústria de semicondutores de potência. Aproveitando sua infraestrutura existente de fabricação de silício de 300 mm, a Infineon criou um processo de produção escalonável, econômico e de alto volume.
Os wafers GaN de 300 mm oferecem 2,3 vezes mais chips por wafer do que os wafers de 200 mm, melhorando a eficiência da produção e o desempenho do dispositivo. Com esta inovação, a Infineon é líder de mercado no mercado de GaN em rápido crescimento, que deverá atingir vários milhares de milhões de dólares até ao final da década.
O chefe da Infineon, Jochen Hanebeck, apresenta um dos primeiros wafers de energia GaN de 300 mm fabricados em produção escalonável em grande escala. (Imagem: Infineon)
Os semicondutores de potência baseados em GaN estão ganhando força em vários setores, incluindo industrial, automotivo, eletrônicos de consumo, energia de IA, inversores solares e sistemas de controle de motores. A tecnologia GaN oferece vantagens significativas, como maior eficiência energética, tamanho e peso reduzidos e menor custo geral para o usuário final. Os novos wafers GaN de 300 mm proporcionam maior estabilidade e escalabilidade de fornecimento, tornando-os ideais para as crescentes necessidades do mercado.
A integração de wafers GaN de 300 mm nas linhas de produção de silício existentes da Infineon em Villach, na Áustria, ressalta a experiência da empresa em semicondutores baseados em GaN e silício. Este avanço também abre caminho para a paridade de custos entre GaN e silício, particularmente no que diz respeito a valores R DS(on) comparáveis. A Infineon quer apresentar os primeiros wafers GaN de 300 mm na feira de eletrônica em novembro de 2024 em Munique.
Um engenheiro técnico na sala limpa da Infineon Technologies em Villach, Áustria, segura um wafer de nitreto de gálio de 300 mm. (Imagem: Infineon)
Este progresso sustenta a liderança da Infineon em sistemas de energia e o seu compromisso com a inovação, particularmente nas áreas de descarbonização e digitalização. O foco estratégico da empresa em GaN junto com silício e carboneto de silício ressalta sua posição na vanguarda da tecnologia de semicondutores.
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